通過采用最先進的溝槽柵工藝技術和完美的結構設計，DT MOSFET實現了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導過程中的導通功率損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩定，其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。通過采用這些先進的技術手段，DT MOSFET的FOM（Qg*Rdson）得以實現行業內的領先水平。
產品特點：
- 低FOM（Rdson*Qg）
- 高可靠性
- 具有低的柵電荷
應用范圍：
- 不間斷電源，逆變器
- 交流/直流電源的同步整流
- 電機驅動
| 產品 | V(BR)DSS(V) | ID(A) | RDS(ON)(mΩ max)*at VGS=(10V） | RDS(ON)(mΩ max)*at VGS=(4.5V） | V(GS)th-min(V) | V(GS)th-max(V) | Ciss(pF) | Qg(nC) | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSB12N10A | 100 | 55 | 12 | - | 2.5 | 4 | 2455 | 45 | TO-263 |
| TSP10N10AT | 100 | 36 | 23 | 33 | 1.1 | 2.5 | 1134 | 21 | TO-220 |
| TSP15N10A | 100 | 150 | 4.2 | - | 2 | 4 | 7700 | 138 | TO-220 |
| TSB15N10A | 100 | 150 | 4.2 | - | 2 | 4 | 7700 | 138 | TO-263 |
| TSR15N10A | 100 | 60 | 4.2 | - | 2 | 4 | 7700 | 138 | TO-220FP-NL |
| TSG12N10AT | 100 | 55 | 12 | 15.5 | 1.1 | 2.5 | 2455 | 45 | DFN5x6 |
| TSU12N10AT | 100 | 55 | 12 | 15.5 | 1.1 | 2.5 | 2455 | 45 | TO-251 |
| TSP12N10AT | 100 | 55 | 12 | 15.5 | 1.1 | 2.5 | 2455 | 45 | TO-220 |
| TSD12N10AT | 100 | 55 | 12 | 15.5 | 1.1 | 2.5 | 2455 | 45 | TO-252 |
| TSJ12N10AT | 100 | 11 | 12 | 15.5 | 1.1 | 2.5 | 2455 | 45 | SOP-8 |
| TSG12N10A | 100 | 55 | 12 | - | 2.5 | 4 | 2455 | 45 | DFN5x6 |
| TSU12N10A | 100 | 55 | 12 | - | 2.5 | 4 | 2455 | 45 | TO-251 |
| TSP12N10A | 100 | 55 | 12 | - | 2.5 | 4 | 2455 | 45 | TO-220 |
| TSD12N10A | 100 | 55 | 12 | - | 2.5 | 4 | 2455 | 45 | TO-252 |
| TSJ12N10A | 100 | 11 | 12 | - | 2.5 | 4 | 2455 | 45 | SOP-8 |
| TSG10N10AT | 100 | 36 | 23 | 33 | 1.1 | 2.5 | 1134 | 21 | DFN5x6 |
| TSU10N10AT | 100 | 36 | 23 | 33 | 1.1 | 2.5 | 1134 | 21 | TO-251 |
| TSJ10N10AT | 100 | 8 | 23 | 33 | 1.1 | 2.5 | 1134 | 21 | SOP-8 |