TRENCH MOSFET 溝槽式金屬氧化物半導體場效應管這種新型垂直結構器件在VDMOS的基礎上發展起來，和VDMOS相比，Trench MOS擁有更低的導通電阻和柵漏電荷密度，因而擁有更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。同時由于Trench MOS的溝道是垂直的，故可進一步提高其溝道密度，減小芯片尺寸，降低導通電阻。并且其具有 MOS 器件的一切優點，如：開關速度快、驅動功率小等。并聯的元胞具有負的溫度系數，有利于大電流和更寬的安全工作區的實現。
產品特點：
- Rsp小；
- 低FOM（Rdson×Qg）；
- 高可靠性。
應用范圍：
- 鋰電保護
- 交流/直流電源的同步整流
- 電機驅動
| 產品 | V(BR)DSS(V) | ID(A) | RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10v | RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5v | V(GS)th-min(V) | V(GS)th-max(V) | Ciss(pF) | Qg(nC) | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TMB160N10A | 100 | 150 | 6.5 | - | 2 | 4 | 9000 | 180 | TO-263 |
| TMP160N10A | 100 | 150 | 6.5 | - | 2 | 4 | 9000 | 180 | to-220 |
| TMB140N10A | 100 | 130 | 7.0 | - | 2 | 4 | 6320 | 146 | TO-263 |
| TMP140N10A | 100 | 130 | 7.0 | - | 2 | 4 | 6320 | 146 | TO-220 |
| TMP120N10A | 100 | 110 | 9.0 | - | 2 | 4 | 5560 | 130 | TO-220 |
| TMA120N10A | 100 | 43 | 9.0 | - | 2 | 4 | 5560 | 130 | TO-220F |
| TMB120N10A | 100 | 110 | 9.0 | - | 2 | 4 | 5560 | 130 | TO-263 |