TRENCH MOSFET 溝槽式金屬氧化物半導體場效應管這種新型垂直結構器件在VDMOS的基礎上發展起來,和VDMOS相比,Trench MOS擁有更低的導通電阻和柵漏電荷密度,因而擁有更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。同時由于Trench MOS的溝道是垂直的,故可進一步提高其溝道密度,減小芯片尺寸,降低導通電阻。并且其具有 MOS 器件的一切優點,如:開關速度快、驅動功率小等。并聯的元胞具有負的溫度系數,有利于大電流和更寬的安全工作區的實現。

產品特點:

  • Rsp小;
  • 低FOM(Rdson×Qg);
  • 高可靠性。

應用范圍:

  • 鋰電保護
  • 交流/直流電源的同步整流
  • 電機驅動
產品V(BR)DSS(V)ID(A)RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10vRDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5vV(GS)th-min(V)V(GS)th-max(V)Ciss(pF)Qg(nC)Package
TMB160N10A1001506.5-249000180TO-263
TMP160N10A1001506.5-249000180to-220
TMB140N10A1001307.0-246320146TO-263
TMP140N10A1001307.0-246320146TO-220
TMP120N10A1001109.0-245560130TO-220
TMA120N10A100439.0-245560130TO-220F
TMB120N10A1001109.0-245560130TO-263

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