TRENCH MOSFET 溝槽式金屬氧化物半導體場效應管這種新型垂直結構器件在VDMOS的基礎上發展起來,和VDMOS相比,Trench MOS擁有更低的導通電阻和柵漏電荷密度,因而擁有更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。同時由于Trench MOS的溝道是垂直的,故可進一步提高其溝道密度,減小芯片尺寸,降低導通電阻。并且其具有 MOS 器件的一切優點,如:開關速度快、驅動功率小等。并聯的元胞具有負的溫度系數,有利于大電流和更寬的安全工作區的實現。

產品特點:

  • Rsp小;
  • 低FOM(Rdson×Qg);
  • 高可靠性。

應用范圍:

  • 鋰電保護
  • 交流/直流電源的同步整流
  • 電機驅動
產品V(BR)DSS(V)ID(A)RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10vRDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5vV(GS)th-min(V)V(GS)th-max(V)Ciss(pF)Qg(nC)Package
TTB115N08A,TTP115N08A801157.5-246650112TO-263,TO-220
TMB160N08A,TMP160N08A801604.5-249000180TO-263,TO-220
TMP160N08A801604.5-2490000180TO-220
TMB140N08A801405.5-246320146TO-263
TMP140N08A801405.5-246320146TO-220
TMB120N08A,TMP120N08A801206.0-245560130TO-220
TMP80N08A80808.5-24313484TO-220
TMB80N08A80808.5-24313484TO-263
TTE04N08AT80425026012.431536TO-251-SL
TTE03N08AT80336042012.42204.1TO-251-SL
TTB145N08A,TTP145N08A801455.9-248200160TO-263,TO-220

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