TRENCH MOSFET 溝槽式金屬氧化物半導體場效應管這種新型垂直結構器件在VDMOS的基礎上發展起來,和VDMOS相比,Trench MOS擁有更低的導通電阻和柵漏電荷密度,因而擁有更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。同時由于Trench MOS的溝道是垂直的,故可進一步提高其溝道密度,減小芯片尺寸,降低導通電阻。并且其具有 MOS 器件的一切優點,如:開關速度快、驅動功率小等。并聯的元胞具有負的溫度系數,有利于大電流和更寬的安全工作區的實現。

產品特點:

  • Rsp小;
  • 低FOM(Rdson×Qg);
  • 高可靠性。

應用范圍:

  • 鋰電保護
  • 交流/直流電源的同步整流
  • 電機驅動
產品V(BR)DSS(V)ID(A)RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10vRDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5vV(GS)th-min(V)V(GS)th-max(V)Ciss(pF)Qg(nC)Package
TTU05P03ATS-30V-5A150240-1.0-2.426630TO-251-SL
TTG90P03ATC-30V-90V7.512-1.0-2.4494282DFN5x6
TTD110P03AT-30V-110V6.510-1.0-2.46182100TO-252
TTD90P03AT-30V-90A7.512-1.0-2.4494282TO-252
TTE05P03AT-30-5150240-1-2.422025TO-251-SL

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