TRENCH MOSFET 溝槽式金屬氧化物半導體場效應管這種新型垂直結構器件在VDMOS的基礎上發展起來，和VDMOS相比，Trench MOS擁有更低的導通電阻和柵漏電荷密度，因而擁有更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。同時由于Trench MOS的溝道是垂直的，故可進一步提高其溝道密度，減小芯片尺寸，降低導通電阻。并且其具有 MOS 器件的一切優點，如：開關速度快、驅動功率小等。并聯的元胞具有負的溫度系數，有利于大電流和更寬的安全工作區的實現。
產品特點：
- Rsp小；
- 低FOM（Rdson×Qg）；
- 高可靠性。
應用范圍：
- 鋰電保護
- 交流/直流電源的同步整流
- 電機驅動
| 產品 | V(BR)DSS(V) | ID(A) | RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10v | RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5v | V(GS)th-min(V) | V(GS)th-max(V) | Ciss(pF) | Qg(nC) | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTU05P03ATS | -30V | -5A | 150 | 240 | -1.0 | -2.4 | 266 | 30 | TO-251-SL |
| TTG90P03ATC | -30V | -90V | 7.5 | 12 | -1.0 | -2.4 | 4942 | 82 | DFN5x6 |
| TTD110P03AT | -30V | -110V | 6.5 | 10 | -1.0 | -2.4 | 6182 | 100 | TO-252 |
| TTD90P03AT | -30V | -90A | 7.5 | 12 | -1.0 | -2.4 | 4942 | 82 | TO-252 |
| TTE05P03AT | -30 | -5 | 150 | 240 | -1 | -2.4 | 220 | 25 | TO-251-SL |